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STMicroelectronics STP43N60DM2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STP43N60DM2 |
| EBEE部品番号 | E8472619 |
| パッケージ | TO-220 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 34A 0.093Ω@10V,17A 250W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1764 | $ 3.1764 |
| 10+ | $3.1076 | $ 31.0760 |
| 50+ | $3.0617 | $ 153.0850 |
| 100+ | $3.0158 | $ 301.5800 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STP43N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 93mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 56nC@480V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1764 | $ 3.1764 |
| 10+ | $3.1076 | $ 31.0760 |
| 50+ | $3.0617 | $ 153.0850 |
| 100+ | $3.0158 | $ 301.5800 |
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