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STMicroelectronics STP33N60M6
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STP33N60M6 |
| EBEE部品番号 | E85268765 |
| パッケージ | TO-220 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 25A 125mΩ@10V,12.5A 190W 4.75V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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26 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5998 | $ 6.5998 |
| 10+ | $5.7263 | $ 57.2630 |
| 50+ | $5.1934 | $ 259.6700 |
| 100+ | $4.7474 | $ 474.7400 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STP33N60M6 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 125mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.515nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33.4nC@480V |
ショッピングガイド
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
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| 1+ | $6.5998 | $ 6.5998 |
| 10+ | $5.7263 | $ 57.2630 |
| 50+ | $5.1934 | $ 259.6700 |
| 100+ | $4.7474 | $ 474.7400 |
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