| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STP33N60DM2 |
| EBEE部品番号 | E8672104 |
| パッケージ | TO-220 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 24A 130mΩ@10V,12A 190W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7773 | $ 3.7773 |
| 10+ | $3.6991 | $ 36.9910 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.5944 | $ 359.4400 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STP33N60DM2 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 24A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 130mΩ@10V,12A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 190W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.87nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 43nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7773 | $ 3.7773 |
| 10+ | $3.6991 | $ 36.9910 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.5944 | $ 359.4400 |
