| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STL8N10F7 |
| EBEE部品番号 | E8222400 |
| パッケージ | PowerVDFN-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 8A 20mΩ@10V,4A 2.9W 4.5V@250uA 1 N-channel PowerVDFN-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3123 | $ 1.3123 |
| 10+ | $1.0807 | $ 10.8070 |
| 30+ | $0.9541 | $ 28.6230 |
| 100+ | $0.8090 | $ 80.9000 |
| 500+ | $0.7457 | $ 372.8500 |
| 1000+ | $0.7164 | $ 716.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STL8N10F7 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 20mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.64nF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@50V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3123 | $ 1.3123 |
| 10+ | $1.0807 | $ 10.8070 |
| 30+ | $0.9541 | $ 28.6230 |
| 100+ | $0.8090 | $ 80.9000 |
| 500+ | $0.7457 | $ 372.8500 |
| 1000+ | $0.7164 | $ 716.4000 |
