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STMicroelectronics STL18N65M2


メーカー
メーカー部品番号
STL18N65M2
EBEE部品番号
E82970653
パッケージ
VDFN-8-Power
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
650V 8A 57W 0.365Ω@10V,4A 4V@250uA 1 N-Channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS
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861 在庫あり 即時出荷可能
861 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$1.1967$ 1.1967
10+$1.0891$ 10.8910
30+$1.0297$ 30.8910
100+$0.9622$ 96.2200
500+$0.9317$ 465.8500
1000+$0.9188$ 918.8000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
すべて選択
カテゴリトランジスタ/スズリ ,MOSFET
データシートSTMicroelectronics STL18N65M2
RoHS
タイプN-Channel
RDS(オン)365mΩ@10V
動作温度 --55℃~+150℃
逆移動容量(Crss@Vds)1.2pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation57W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)8A
Ciss-Input Capacitance764pF
Gate Charge(Qg)21.5nC@10V

ショッピングガイド

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