| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STL18N65M2 |
| EBEE部品番号 | E82970653 |
| パッケージ | VDFN-8-Power |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 8A 57W 0.365Ω@10V,4A 4V@250uA 1 N-Channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1967 | $ 1.1967 |
| 10+ | $1.0891 | $ 10.8910 |
| 30+ | $1.0297 | $ 30.8910 |
| 100+ | $0.9622 | $ 96.2200 |
| 500+ | $0.9317 | $ 465.8500 |
| 1000+ | $0.9188 | $ 918.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | STMicroelectronics STL18N65M2 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 365mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 57W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 764pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21.5nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1967 | $ 1.1967 |
| 10+ | $1.0891 | $ 10.8910 |
| 30+ | $1.0297 | $ 30.8910 |
| 100+ | $0.9622 | $ 96.2200 |
| 500+ | $0.9317 | $ 465.8500 |
| 1000+ | $0.9188 | $ 918.8000 |
