| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STL10N60M6 |
| EBEE部品番号 | E82970135 |
| パッケージ | VDFN-8-Power |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 5.5A 48W 550mΩ@10V,2.75A 3.25V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3375 | $ 2.3375 |
| 200+ | $0.9044 | $ 180.8800 |
| 500+ | $0.8734 | $ 436.7000 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STL10N60M6 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 5.5A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 550mΩ@10V,2.75A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 48W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3.8pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 338pF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 8.8nC |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3375 | $ 2.3375 |
| 200+ | $0.9044 | $ 180.8800 |
| 500+ | $0.8734 | $ 436.7000 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
