| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STL100N8F7 |
| EBEE部品番号 | E82971049 |
| パッケージ | PowerFLAT-8(5x6) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 100A 6.1mΩ@10V,10A 4.5V@250uA 1 N-channel PowerFLAT-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8004 | $ 2.8004 |
| 10+ | $2.3488 | $ 23.4880 |
| 30+ | $2.0661 | $ 61.9830 |
| 100+ | $1.7758 | $ 177.5800 |
| 500+ | $1.6452 | $ 822.6000 |
| 1000+ | $1.5899 | $ 1589.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STL100N8F7 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 6.1mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 57pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.435nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 653pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46.8nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8004 | $ 2.8004 |
| 10+ | $2.3488 | $ 23.4880 |
| 30+ | $2.0661 | $ 61.9830 |
| 100+ | $1.7758 | $ 177.5800 |
| 500+ | $1.6452 | $ 822.6000 |
| 1000+ | $1.5899 | $ 1589.9000 |
