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STMicroelectronics STI10N62K3
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STI10N62K3 |
| EBEE部品番号 | E85931865 |
| パッケージ | I2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 620V 8.4A 750mΩ@10V,4A 125W 4.5V@100uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1342 | $ 3.1342 |
| 200+ | $1.2504 | $ 250.0800 |
| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STI10N62K3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 620V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 8.4A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 750mΩ@10V,4A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 125W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.25nF@50V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 42nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1342 | $ 3.1342 |
| 200+ | $1.2504 | $ 250.0800 |
| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
