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STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STHU32N65DM6AG |
| EBEE部品番号 | E83278146 |
| パッケージ | TO-263-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 37A 83mΩ@10V,18.5A 320W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-263-8 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3923 | $ 13.3923 |
| 10+ | $11.6189 | $ 116.1890 |
| 30+ | $10.5384 | $ 316.1520 |
| 100+ | $9.6328 | $ 963.2800 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STHU32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 97mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 0.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.211nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52.6nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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|---|---|---|
| 1+ | $13.3923 | $ 13.3923 |
| 10+ | $11.6189 | $ 116.1890 |
| 30+ | $10.5384 | $ 316.1520 |
| 100+ | $9.6328 | $ 963.2800 |
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