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STMicroelectronics STGW80H65DFB-4
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STGW80H65DFB-4 |
| EBEE部品番号 | E85268573 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 469W 120A 650V FS(Field Stop) TO-247-4 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0045 | $ 3.0045 |
| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
| 30+ | $2.8823 | $ 86.4690 |
| 90+ | $2.8329 | $ 254.9610 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | STMicroelectronics STGW80H65DFB-4 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 650V | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 414nC | |
| Td(off) | 336ns | |
| Td(on) | 75ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 215pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 112ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.7mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 10.524nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A | |
| Output Capacitance(Coes) | 385pF |
ショッピングガイド
展開
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0045 | $ 3.0045 |
| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
| 30+ | $2.8823 | $ 86.4690 |
| 90+ | $2.8329 | $ 254.9610 |
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