| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STF11N60DM2 |
| EBEE部品番号 | E85268666 |
| パッケージ | TO-220FP |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 10A 370mΩ@10V,5A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0713 | $ 3.0713 |
| 10+ | $2.6492 | $ 26.4920 |
| 50+ | $2.3972 | $ 119.8600 |
| 100+ | $2.1436 | $ 214.3600 |
| 500+ | $2.0271 | $ 1013.5500 |
| 1000+ | $1.9735 | $ 1973.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STF11N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 370mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.08pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 614pF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0713 | $ 3.0713 |
| 10+ | $2.6492 | $ 26.4920 |
| 50+ | $2.3972 | $ 119.8600 |
| 100+ | $2.1436 | $ 214.3600 |
| 500+ | $2.0271 | $ 1013.5500 |
| 1000+ | $1.9735 | $ 1973.5000 |
