| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD65N55F3 |
| EBEE部品番号 | E85269570 |
| パッケージ | DPAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 55V 80A 110W 8.5mΩ@10V,32A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7474 | $ 1.7474 |
| 10+ | $1.7041 | $ 17.0410 |
| 30+ | $1.6762 | $ 50.2860 |
| 100+ | $1.6469 | $ 164.6900 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD65N55F3 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 8.5mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@27V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7474 | $ 1.7474 |
| 10+ | $1.7041 | $ 17.0410 |
| 30+ | $1.6762 | $ 50.2860 |
| 100+ | $1.6469 | $ 164.6900 |
