| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD16N60M6 |
| EBEE部品番号 | E83277926 |
| パッケージ | DPAK(TO-252) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 12A 110W 0.32Ω@10V,6A 3.25V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7515 | $ 1.7515 |
| 200+ | $0.6779 | $ 135.5800 |
| 500+ | $0.6548 | $ 327.4000 |
| 1000+ | $0.6424 | $ 642.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD16N60M6 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 12A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.32Ω@10V,6A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 110W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3pF@10V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 575pF@10V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 16.7nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7515 | $ 1.7515 |
| 200+ | $0.6779 | $ 135.5800 |
| 500+ | $0.6548 | $ 327.4000 |
| 1000+ | $0.6424 | $ 642.4000 |
