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STMicroelectronics STD16N60M2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD16N60M2 |
| EBEE部品番号 | E82970218 |
| パッケージ | DPAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 12A 110W 0.32Ω@10V,6A 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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2363 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2590 | $ 1.2590 |
| 10+ | $1.0507 | $ 10.5070 |
| 30+ | $0.9356 | $ 28.0680 |
| 100+ | $0.8078 | $ 80.7800 |
| 500+ | $0.7494 | $ 374.7000 |
| 1000+ | $0.7242 | $ 724.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD16N60M2 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 320mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 700pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 38pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
ショッピングガイド
展開
2363 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2590 | $ 1.2590 |
| 10+ | $1.0507 | $ 10.5070 |
| 30+ | $0.9356 | $ 28.0680 |
| 100+ | $0.8078 | $ 80.7800 |
| 500+ | $0.7494 | $ 374.7000 |
| 1000+ | $0.7242 | $ 724.2000 |
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