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STMicroelectronics STD12N60DM2AG
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD12N60DM2AG |
| EBEE部品番号 | E8495234 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD12N60DM2AG | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 650V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 10A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 430mΩ@10V,5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 110W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3.7pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 614pF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | - |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
