| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD105N10F7AG |
| EBEE部品番号 | E82969853 |
| パッケージ | DPAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 80A 120W 6.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0059 | $ 3.0059 |
| 10+ | $2.5521 | $ 25.5210 |
| 30+ | $2.2673 | $ 68.0190 |
| 100+ | $1.9763 | $ 197.6300 |
| 500+ | $1.8449 | $ 922.4500 |
| 1000+ | $1.7870 | $ 1787.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD105N10F7AG | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 8mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 36pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.369nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0059 | $ 3.0059 |
| 10+ | $2.5521 | $ 25.5210 |
| 30+ | $2.2673 | $ 68.0190 |
| 100+ | $1.9763 | $ 197.6300 |
| 500+ | $1.8449 | $ 922.4500 |
| 1000+ | $1.7870 | $ 1787.0000 |
