| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB8N90K5 |
| EBEE部品番号 | E82935160 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 900V 8A 680mΩ@10V,4A 130W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8737 | $ 4.8737 |
| 200+ | $1.8872 | $ 377.4400 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB8N90K5 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 900V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 8A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 680mΩ@10V,4A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 130W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.2pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 426pF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 11nC |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8737 | $ 4.8737 |
| 200+ | $1.8872 | $ 377.4400 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
