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STMicroelectronics STB80N20M5
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB80N20M5 |
| EBEE部品番号 | E82971202 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 61A 190W 23mΩ@10V,30.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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20 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2755 | $ 6.2755 |
| 10+ | $6.1287 | $ 61.2870 |
| 30+ | $6.0313 | $ 180.9390 |
| 100+ | $5.9340 | $ 593.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB80N20M5 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 20mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 108nC@10V |
ショッピングガイド
展開
20 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2755 | $ 6.2755 |
| 10+ | $6.1287 | $ 61.2870 |
| 30+ | $6.0313 | $ 180.9390 |
| 100+ | $5.9340 | $ 593.4000 |
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