| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB6N80K5 |
| EBEE部品番号 | E82969906 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 800V 4.5A 85W 1.6Ω@10V,2A 5V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7941 | $ 1.7941 |
| 10+ | $1.7554 | $ 17.5540 |
| 30+ | $1.7291 | $ 51.8730 |
| 100+ | $1.7043 | $ 170.4300 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB6N80K5 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.3Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7941 | $ 1.7941 |
| 10+ | $1.7554 | $ 17.5540 |
| 30+ | $1.7291 | $ 51.8730 |
| 100+ | $1.7043 | $ 170.4300 |
