Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
STMicroelectronics STB6N60M2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB6N60M2 |
| EBEE部品番号 | E82971698 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 4.5A 60W 1.2Ω@10V,2.25A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>15 在庫あり 即時出荷可能
15 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0713 | $ 3.0713 |
| 10+ | $2.6492 | $ 26.4920 |
| 30+ | $2.3972 | $ 71.9160 |
| 100+ | $2.1436 | $ 214.3600 |
| 500+ | $2.0271 | $ 1013.5500 |
| 1000+ | $1.9735 | $ 1973.5000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB6N60M2 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.2Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 232pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
ショッピングガイド
展開
15 Stock for Shipping Fast
15 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0713 | $ 3.0713 |
| 10+ | $2.6492 | $ 26.4920 |
| 30+ | $2.3972 | $ 71.9160 |
| 100+ | $2.1436 | $ 214.3600 |
| 500+ | $2.0271 | $ 1013.5500 |
| 1000+ | $1.9735 | $ 1973.5000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
