| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB60NF06LT4 |
| EBEE部品番号 | E8155565 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 60A 110W 0.014Ω@5V,30A 1V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6524 | $ 1.6524 |
| 10+ | $1.3797 | $ 13.7970 |
| 30+ | $1.2298 | $ 36.8940 |
| 100+ | $1.0607 | $ 106.0700 |
| 500+ | $0.9841 | $ 492.0500 |
| 1000+ | $0.9507 | $ 950.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB60NF06LT4 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 14mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -65℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 125pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 360pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6524 | $ 1.6524 |
| 10+ | $1.3797 | $ 13.7970 |
| 30+ | $1.2298 | $ 36.8940 |
| 100+ | $1.0607 | $ 106.0700 |
| 500+ | $0.9841 | $ 492.0500 |
| 1000+ | $0.9507 | $ 950.7000 |
