| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB50N65DM6 |
| EBEE部品番号 | E83277549 |
| パッケージ | D2PAK(TO-263) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 33A 250W 91mΩ@10V,16.5A 3.25V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1616 | $ 7.1616 |
| 200+ | $2.7717 | $ 554.3400 |
| 500+ | $2.6741 | $ 1337.0500 |
| 1000+ | $2.6261 | $ 2626.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB50N65DM6 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 650V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 33A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 91mΩ@10V,16.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 250W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3pF | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 2.3nF | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 52.5nC |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1616 | $ 7.1616 |
| 200+ | $2.7717 | $ 554.3400 |
| 500+ | $2.6741 | $ 1337.0500 |
| 1000+ | $2.6261 | $ 2626.1000 |
