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STMicroelectronics STB45N65M5
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB45N65M5 |
| EBEE部品番号 | E8500944 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 35A 0.078Ω@10V,17.5A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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5 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.9906 | $ 7.9906 |
| 10+ | $7.7946 | $ 77.9460 |
| 30+ | $7.6649 | $ 229.9470 |
| 100+ | $7.5352 | $ 753.5200 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB45N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 78mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.47nF | |
| Gate Charge(Qg) | 82nC@10V |
ショッピングガイド
展開
5 Stock for Shipping Fast
5 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.9906 | $ 7.9906 |
| 10+ | $7.7946 | $ 77.9460 |
| 30+ | $7.6649 | $ 229.9470 |
| 100+ | $7.5352 | $ 753.5200 |
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