| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB36NM60ND |
| EBEE部品番号 | E8472553 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 29A 190W 0.097Ω@10V,14.5A 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.9101 | $ 6.9101 |
| 10+ | $6.7664 | $ 67.6640 |
| 30+ | $6.6723 | $ 200.1690 |
| 100+ | $6.5764 | $ 657.6400 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB36NM60ND | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 設定 | - | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 29A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.097Ω@10V,14.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 190W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5pF@50V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 2.785nF@50V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 80.4nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.9101 | $ 6.9101 |
| 10+ | $6.7664 | $ 67.6640 |
| 30+ | $6.6723 | $ 200.1690 |
| 100+ | $6.5764 | $ 657.6400 |
