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STMicroelectronics STB35N60DM2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB35N60DM2 |
| EBEE部品番号 | E8472576 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 28A 0.094Ω@10V,14A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB35N60DM2 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 設定 | - | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 28A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.094Ω@10V,14A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 210W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.8pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 2.4nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 54nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
