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STMicroelectronics STB32NM50N
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB32NM50N |
| EBEE部品番号 | E82971411 |
| パッケージ | D2PK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 500V 22A 0.13Ω@10V,11A 190W 4V@250uA 1 N-channel D2PK MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB32NM50N | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 500V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 22A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.13Ω@10V,11A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 190W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 9.7pF@500V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1973pF@500V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 62.5nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
