| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB30NF10T4 |
| EBEE部品番号 | E8140377 |
| パッケージ | TO-263-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 35A 45mΩ@10V,15A 115W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1307 | $ 1.1307 |
| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB30NF10T4 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 100V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 35A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 45mΩ@10V,15A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 115W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.18nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 55nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1307 | $ 1.1307 |
| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
