| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB28NM60ND |
| EBEE部品番号 | E87324745 |
| パッケージ | D2PAK(TO-263) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 23A 190W 150mΩ@10V,11.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4261 | $ 9.4261 |
| 200+ | $3.7621 | $ 752.4200 |
| 500+ | $3.6362 | $ 1818.1000 |
| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB28NM60ND | |
| RoHS | ||
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 23A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 150mΩ@10V,11.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 190W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 2.09nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 62.5nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4261 | $ 9.4261 |
| 200+ | $3.7621 | $ 752.4200 |
| 500+ | $3.6362 | $ 1818.1000 |
| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
