| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB26N60M2 |
| EBEE部品番号 | E82971192 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 20A 169W 0.14Ω@10V,10A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8895 | $ 3.8895 |
| 10+ | $3.8062 | $ 38.0620 |
| 30+ | $3.7512 | $ 112.5360 |
| 100+ | $3.3750 | $ 337.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB26N60M2 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 650V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 20A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.14Ω@10V,10A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 169W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 124pF @ 0 to 480V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.36nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 60nC@480V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8895 | $ 3.8895 |
| 10+ | $3.8062 | $ 38.0620 |
| 30+ | $3.7512 | $ 112.5360 |
| 100+ | $3.3750 | $ 337.5000 |
