| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB24N60M2 |
| EBEE部品番号 | E82970333 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 18A 150W 0.19Ω@10V,9A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9250 | $ 5.9250 |
| 10+ | $5.7944 | $ 57.9440 |
| 30+ | $5.7079 | $ 171.2370 |
| 100+ | $5.6214 | $ 562.1400 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB24N60M2 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 650V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 18A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.19Ω@10V,9A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 150W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.2pF | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1060pF | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 29nC@480V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9250 | $ 5.9250 |
| 10+ | $5.7944 | $ 57.9440 |
| 30+ | $5.7079 | $ 171.2370 |
| 100+ | $5.6214 | $ 562.1400 |
