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STMicroelectronics STB20N65M5
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB20N65M5 |
| EBEE部品番号 | E8495232 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 18A 0.16Ω@10V,9A 130W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9662 | $ 3.9662 |
| 200+ | $1.5347 | $ 306.9400 |
| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB20N65M5 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 650V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 18A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.16Ω@10V,9A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 130W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3.7pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.434nF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 36nC@520V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9662 | $ 3.9662 |
| 200+ | $1.5347 | $ 306.9400 |
| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
