| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB18NF25 |
| EBEE部品番号 | E8155570 |
| パッケージ | TO-263-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 250V 17A 110W 165mΩ@10V,8.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB18NF25 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 250V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 17A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 165mΩ@10V,8.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 110W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 29.5nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
