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STMicroelectronics STB18N60M6
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB18N60M6 |
| EBEE部品番号 | E83288190 |
| パッケージ | D2PAK(TO-263) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 13A 110W 230mΩ@10V,6.5A 3.25V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0601 | $ 2.0601 |
| 200+ | $0.7986 | $ 159.7200 |
| 500+ | $0.7702 | $ 385.1000 |
| 1000+ | $0.7560 | $ 756.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB18N60M6 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 13A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 230mΩ@10V,6.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 110W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 650pF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 16.8nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0601 | $ 2.0601 |
| 200+ | $0.7986 | $ 159.7200 |
| 500+ | $0.7702 | $ 385.1000 |
| 1000+ | $0.7560 | $ 756.0000 |
