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STMicroelectronics STB18N60DM2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB18N60DM2 |
| EBEE部品番号 | E82965480 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 600V 12A 0.295Ω@10V,6A 110W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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25 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7044 | $ 5.7044 |
| 10+ | $4.9201 | $ 49.2010 |
| 30+ | $4.4535 | $ 133.6050 |
| 100+ | $3.9823 | $ 398.2300 |
| 500+ | $3.7653 | $ 1882.6500 |
| 1000+ | $3.6676 | $ 3667.6000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 295mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
ショッピングガイド
展開
25 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7044 | $ 5.7044 |
| 10+ | $4.9201 | $ 49.2010 |
| 30+ | $4.4535 | $ 133.6050 |
| 100+ | $3.9823 | $ 398.2300 |
| 500+ | $3.7653 | $ 1882.6500 |
| 1000+ | $3.6676 | $ 3667.6000 |
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