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STMicroelectronics STB100N6F7
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STB100N6F7 |
| EBEE部品番号 | E8165928 |
| パッケージ | TO-263-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 100A 5.6mΩ@10V,50A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STB100N6F7 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 60V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 100A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 5.6mΩ@10V,50A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 125W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.98nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 30nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
