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Solid State System 2N2102
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N2102 |
| EBEE部品番号 | E85487511 |
| パッケージ | TO-39 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 65V 1mW 40@150mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | Solid State System 2N2102 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 1A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 2nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 65V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | 60MHz | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 500mV@15mA,150mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
