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MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E


メーカー
メーカー部品番号
MMBT5551-E
EBEE部品番号
E841371418
パッケージ
SOT-23
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
160V 300mW 80@1mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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458050 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
10+$0.0099$ 0.0990
100+$0.0081$ 0.8100
300+$0.0071$ 2.1300
3000+$0.0061$ 18.3000
6000+$0.0056$ 33.6000
9000+$0.0053$ 47.7000
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タイプ説明
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カテゴリトランジスタ/スズリ ,バイポーラ(BJT)
データシートMDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E
RoHS
動作温度-55℃~+150℃
タイプNPN
Collector - Emitter Voltage VCEO160V
Current - Collector(Ic)600mA
Number1 NPN
Pd - Power Dissipation300mW
DC Current Gain300
Emitter-Base Voltage(Vebo)6V
Current - Collector Cutoff50nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Transition frequency(fT)300MHz

ショッピングガイド

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