| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SE4607 |
| EBEE部品番号 | E8238650 |
| パッケージ | SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 20V 1.2W 1 N-Channel + 1 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0508 | $ 0.5080 |
| 100+ | $0.0448 | $ 4.4800 |
| 300+ | $0.0418 | $ 12.5400 |
| 1000+ | $0.0395 | $ 39.5000 |
| 4000+ | $0.0364 | $ 145.6000 |
| 8000+ | $0.0355 | $ 284.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | SINO-IC SE4607 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(オン) | 45mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 52pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 450pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 138pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0508 | $ 0.5080 |
| 100+ | $0.0448 | $ 4.4800 |
| 300+ | $0.0418 | $ 12.5400 |
| 1000+ | $0.0395 | $ 39.5000 |
| 4000+ | $0.0364 | $ 145.6000 |
| 8000+ | $0.0355 | $ 284.0000 |
