| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SE30P50B |
| EBEE部品番号 | E8238706 |
| パッケージ | TO-252-2(DPAK) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 50A 90W 7mΩ@10V,20A 2.2V@250uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2489 | $ 1.2445 |
| 50+ | $0.2188 | $ 10.9400 |
| 150+ | $0.2059 | $ 30.8850 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 3000+ | $0.1713 | $ 513.9000 |
| 6000+ | $0.1670 | $ 1002.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | SINO-IC SE30P50B | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 5.8mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 743pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.032nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 898pF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2489 | $ 1.2445 |
| 50+ | $0.2188 | $ 10.9400 |
| 150+ | $0.2059 | $ 30.8850 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 3000+ | $0.1713 | $ 513.9000 |
| 6000+ | $0.1670 | $ 1002.0000 |
