| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SE3082G |
| EBEE部品番号 | E8238670 |
| パッケージ | DFN-8(5.2x5.6) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 80A 3.1W 7.5mΩ@10V,25A 3V@250uA 2 N-Channel DFN-8(5.2x5.6) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3663 | $ 1.8315 |
| 50+ | $0.2899 | $ 14.4950 |
| 150+ | $0.2571 | $ 38.5650 |
| 500+ | $0.2162 | $ 108.1000 |
| 2500+ | $0.1707 | $ 426.7500 |
| 5000+ | $0.1598 | $ 799.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | SINO-IC SE3082G | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 7.5mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 230pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.33nF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3663 | $ 1.8315 |
| 50+ | $0.2899 | $ 14.4950 |
| 150+ | $0.2571 | $ 38.5650 |
| 500+ | $0.2162 | $ 108.1000 |
| 2500+ | $0.1707 | $ 426.7500 |
| 5000+ | $0.1598 | $ 799.0000 |
