Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
Shandong Jingdao Microelectronics F4N65
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | F4N65 |
| EBEE部品番号 | E82935477 |
| パッケージ | ITO-220AB-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V 4A 32W 2.6Ω@10V,2A 2V@250uA ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>275 在庫あり 即時出荷可能
275 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2013 | $ 1.0065 |
| 50+ | $0.1571 | $ 7.8550 |
| 150+ | $0.1387 | $ 20.8050 |
| 500+ | $0.1157 | $ 57.8500 |
| 2500+ | $0.1055 | $ 263.7500 |
| 5000+ | $0.0994 | $ 497.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Shandong Jingdao Microelectronics F4N65 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 2.6Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
ショッピングガイド
展開
275 Stock for Shipping Fast
275 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2013 | $ 1.0065 |
| 50+ | $0.1571 | $ 7.8550 |
| 150+ | $0.1387 | $ 20.8050 |
| 500+ | $0.1157 | $ 57.8500 |
| 2500+ | $0.1055 | $ 263.7500 |
| 5000+ | $0.0994 | $ 497.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
