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Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | D3R6N30 |
| EBEE部品番号 | E85156807 |
| パッケージ | TO-252W |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | 30V 80A 82W 3.6mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS |
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2340 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1277 | $ 0.6385 |
| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
| 500+ | $0.0789 | $ 39.4500 |
| 2500+ | $0.0678 | $ 169.5000 |
| 5000+ | $0.0639 | $ 319.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 3.6mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 206pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.414nF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
ショッピングガイド
展開
2340 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1277 | $ 0.6385 |
| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
| 500+ | $0.0789 | $ 39.4500 |
| 2500+ | $0.0678 | $ 169.5000 |
| 5000+ | $0.0639 | $ 319.5000 |
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