| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GCMX080B120S1-E1 |
| EBEE部品番号 | E87281235 |
| パッケージ | SOT-227 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 1.2kV 30A 142W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
| 200+ | $17.8994 | $ 3579.8800 |
| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | SemiQ GCMX080B120S1-E1 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 1.2kV | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 30A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 142W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2.8V@10mA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 8pF@1000V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.336nF@1000V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 58nC@20V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
| 200+ | $17.8994 | $ 3579.8800 |
| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
