| メーカー | |
| メーカー部品番号 | RT1E040RPTR |
| EBEE部品番号 | E85739232 |
| パッケージ | TSST-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 4A 45mΩ@10V,4A 1.25W 2.5V@1mA 1 Piece P-Channel TSST-8 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5037 | $ 0.5037 |
| 200+ | $0.2010 | $ 40.2000 |
| 500+ | $0.1944 | $ 97.2000 |
| 1000+ | $0.1910 | $ 191.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ROHM RT1E040RPTR | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 Piece P-Channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 30V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 4A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 45mΩ@10V,4A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1.25W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1nF@10V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5037 | $ 0.5037 |
| 200+ | $0.2010 | $ 40.2000 |
| 500+ | $0.1944 | $ 97.2000 |
| 1000+ | $0.1910 | $ 191.0000 |
