| メーカー | |
| メーカー部品番号 | RQ3E130MNTB1 |
| EBEE部品番号 | E8308745 |
| パッケージ | HSMT-8(3x3.2) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | ROHM Semicon RQ3E130MNTB1 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-Channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 30V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 13A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 8.1mΩ@10V,13A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 2W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 90pF | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 840pF@0V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 6.6nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
