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ROHM Semicon RGT30NS65DGTL
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | RGT30NS65DGTL |
| EBEE部品番号 | E82688827 |
| パッケージ | TO-263 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 133W 30A 650V FS(Field Stop) TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | ROHM Semicon RGT30NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | FS(Field Stop) | |
| コレクター電流(Ic) | 30A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 133W | |
| ターン?オフ遅延時間(Td(オフ)) | 64ns | |
| ターン?遅延時間(Td(on)) | 18ns | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 650V | |
| 入力容量(Cies@Vce) | - | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,15A | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Ic,Vge) | 32nC | |
| ダイオードの逆の回復時間(Trr) | 55ns | |
| ターン?スイッチング損失(Eon) | - |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
