| メーカー | |
| メーカー部品番号 | RGT16TM65DGC9 |
| EBEE部品番号 | E817529353 |
| パッケージ | TO-220 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 22W 9A 650V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2230 | $ 1.2230 |
| 200+ | $0.4892 | $ 97.8400 |
| 500+ | $0.4729 | $ 236.4500 |
| 1000+ | $0.4637 | $ 463.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | ROHM Semicon RGT16TM65DGC9 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | FS(Field Stop) | |
| コレクター電流(Ic) | 9A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 22W | |
| ターン?オフ遅延時間(Td(オフ)) | 33ns | |
| ターン?遅延時間(Td(on)) | 13ns | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 650V | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,8A | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Ic,Vge) | 21nC | |
| ダイオードの逆の回復時間(Trr) | 42ns | |
| ターン?オフスイッチング損失(Eoff) | - | |
| ターン?スイッチング損失(Eon) | - |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2230 | $ 1.2230 |
| 200+ | $0.4892 | $ 97.8400 |
| 500+ | $0.4729 | $ 236.4500 |
| 1000+ | $0.4637 | $ 463.7000 |
