| メーカー | |
| メーカー部品番号 | EMG3T2R |
| EBEE部品番号 | E82941610 |
| パッケージ | SOT-553-5 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100@1mA,5V 150mW 100mA 50V SOT-553-5 Digital Transistors ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0982 | $ 4.9100 |
| 150+ | $0.0925 | $ 13.8750 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
| 5000+ | $0.0694 | $ 347.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| データシート | ROHM EMG3T2R | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | NPN | |
| 入力抵抗器 | 4.7kΩ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0982 | $ 4.9100 |
| 150+ | $0.0925 | $ 13.8750 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
| 5000+ | $0.0694 | $ 347.0000 |
