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onsemi MUN5211DW1T1G
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | MUN5211DW1T1G |
| EBEE部品番号 | E8152507 |
| パッケージ | SOT-363 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | [email protected],10V 187mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
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10290 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0707 | $ 0.7070 |
| 100+ | $0.0600 | $ 6.0000 |
| 300+ | $0.0546 | $ 16.3800 |
| 3000+ | $0.0457 | $ 137.1000 |
| 6000+ | $0.0425 | $ 255.0000 |
| 9000+ | $0.0409 | $ 368.1000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| データシート | onsemi MUN5211DW1T1G | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | NPN | |
| 入力抵抗器 | 13kΩ | |
| 抵抗器の比率 | 1 | |
| 入力電圧(VI(on)@Ic、Vce) | 2V | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 256mW | |
| DC Current Gain | 35 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Output Voltage(VO(on)) | 200mV | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 1.2V |
ショッピングガイド
展開
10290 Stock for Shipping Fast
10290 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0707 | $ 0.7070 |
| 100+ | $0.0600 | $ 6.0000 |
| 300+ | $0.0546 | $ 16.3800 |
| 3000+ | $0.0457 | $ 137.1000 |
| 6000+ | $0.0425 | $ 255.0000 |
| 9000+ | $0.0409 | $ 368.1000 |
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