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RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 |
| EBEE部品番号 | E83193702 |
| パッケージ | TO-247A |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 312W 150A 650V TO-247A IGBT Transistors / Modules ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | - | |
| タイプ | - | |
| コレクター電流(Ic) | 150A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 312W | |
| ターン?オフ遅延時間(Td(オフ)) | 113ns | |
| ターン?遅延時間(Td(on)) | 29ns | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 650V | |
| 入力容量(Cies@Vce) | - | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,75A | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Ic,Vge) | 54nC | |
| ダイオードの逆の回復時間(Trr) | 72ns | |
| ターン?オフスイッチング損失(Eoff) | 1mJ | |
| ターン?スイッチング損失(Eon) | 1.6mJ |
ショッピングガイド
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
